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SI1036X-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
| 10+ | CNY2.390 (CNY2.7007) |
| 100+ | CNY1.270 (CNY1.4351) |
| 500+ | CNY1.180 (CNY1.3334) |
| 1000+ | CNY0.835 (CNY0.9436) |
| 5000+ | CNY0.740 (CNY0.8362) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1036X-T1-GE3
库存编号3929262
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道610mA
连续漏极电流 Id P沟道610mA
漏源通态电阻N沟道0.45ohm
漏源导通电阻P沟道0.45ohm
晶体管封装类型SC-89
针脚数6引脚
耗散功率N沟道220mW
耗散功率P沟道220mW
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
610mA
漏源导通电阻P沟道
0.45ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
220mW
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
610mA
漏源通态电阻N沟道
0.45ohm
晶体管封装类型
SC-89
耗散功率N沟道
220mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001