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SI1040X-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 8 V, 8 V, 430 mA, 430 mA, 0.5 ohm
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| 500+ | CNY2.480 (CNY2.8024) |
| 1500+ | CNY2.470 (CNY2.7911) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1040X-T1-GE3
库存编号2646362RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds8V
漏源电压Vds N沟道8V
电流, Id 连续430mA
漏源电压Vds P沟道8V
在电阻RDS（上）0.5ohm
连续漏极电流 Id N沟道430mA
连续漏极电流 Id P沟道430mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.5ohm
漏源导通电阻P沟道0.5ohm
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值-
晶体管封装类型SC-89
针脚数6引脚
功耗 Pd174mW
耗散功率N沟道174mW
耗散功率P沟道174mW
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
8V
电流, Id 连续
430mA
在电阻RDS（上）
0.5ohm
连续漏极电流 Id P沟道
430mA
漏源通态电阻N沟道
0.5ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SC-89
功耗 Pd
174mW
耗散功率P沟道
174mW
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
8V
漏源电压Vds P沟道
8V
连续漏极电流 Id N沟道
430mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.5ohm
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
174mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000123