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SI1302DL-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, 表面安装
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产品概述
SI1302DL-T1-E3 是一款30VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 带反并联二极管。
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
640mA
晶体管封装类型
SC-70
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
310mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.48ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001