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SI1902DL-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 700 mA, 0.32 ohm
SI1902DL-T1-E3 的替代之选
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产品概述
The SI1902DL-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET intended for small-signal applications where a miniaturized package is needed and low levels of current (around 250mA) need to be switched, either directly or by using a level shift configuration. It offers improved ON-resistance value and enhanced thermal performance.
- ±12V Gate to source voltage
- 1A Pulsed drain current
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
700mA
在电阻RDS（上）
0.32ohm
晶体管安装
表面安装
晶体管封装类型
SC-70
功耗 Pd
200mW
耗散功率N沟道
200mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000041