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SI1965DH-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.315 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1965DH-T1-GE3
库存编号3772742RL
产品范围Trench Series
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
电流, Id 连续1.3A
连续漏极电流 Id N沟道1.3A
在电阻RDS（上）0.315ohm
连续漏极电流 Id P沟道1.3A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.315ohm
漏源导通电阻P沟道0.315ohm
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值400mV
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
功耗 Pd1.25W
耗散功率N沟道1.25W
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
12V
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
1.3A
连续漏极电流 Id P沟道
1.3A
漏源通态电阻N沟道
0.315ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-363
功耗 Pd
1.25W
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
Trench Series
汽车质量标准
-
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
12V
电流, Id 连续
1.3A
在电阻RDS（上）
0.315ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.315ohm
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001