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SI2301BDS-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 10+ | CNY2.080 (CNY2.3504) |
| 100+ | CNY1.750 (CNY1.9775) |
| 500+ | CNY1.210 (CNY1.3673) |
| 1000+ | CNY1.080 (CNY1.2204) |
| 5000+ | CNY1.020 (CNY1.1526) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2301BDS-T1-E3
库存编号1470099
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续2.4A
漏源接通状态电阻0.1ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值950mV
功率耗散900mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (19-Jan-2021)
SI2301BDS-T1-E3 的替代之选
找到 8 件产品
产品概述
SI2301BDS-T1-E3是一款2.5VGS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 带有反并联二极管.
- 100％Rg经过测试
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.4A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (19-Jan-2021)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
950mV
针脚数
3引脚
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (19-Jan-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00004