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SI2302CDS-T1-E3
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 2.6A, SOT-23-3
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技术规格
通道类型
N Channel
电流, Id 连续
2.6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
710mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.045ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
3引脚
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
-
SI2302CDS-T1-E3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000043