打印页面
SI2306BDS-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 4 A, 0.038 ohm, TO-236, 表面安装
8,666 有货
3,000 您现在可以预订货品了
3416 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
5250 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.360 (CNY2.6668) |
| 50+ | CNY2.210 (CNY2.4973) |
| 100+ | CNY2.060 (CNY2.3278) |
| 500+ | CNY1.780 (CNY2.0114) |
| 1500+ | CNY1.750 (CNY1.9775) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY11.80 (CNY13.33 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2306BDS-T1-E3
库存编号1470157
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续4A
漏源接通状态电阻0.038ohm
晶体管封装类型TO-236
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散1.25W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI2306BDS-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.038ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
SI2306BDS-T1-E3 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000044