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SI2307BDS-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2307BDS-T1-E3
库存编号2396090RL
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续2.5A
漏源接通状态电阻0.078ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散750mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SI2307BDS-T1-E3是一款30VDS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 带反并联二极管。
- 100% Rg经过测试
- -55到150°C 工作温度范围
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.5A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
750mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.078ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI2307BDS-T1-E3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000042