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SI2309CDS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, 表面安装
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2309CDS-T1-GE3
库存编号1779264
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续1.6A
漏源接通状态电阻0.285ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散1.7W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SI2309CDS-T1-GE3 是一款P沟道60V功率MOSFET, ±20V栅源电压。采用TrenchFET®功率MOSFET技术。
- 无卤素
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1.6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.285ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000068