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SI2318DS-T1-GE3
场效应管, N沟道, MOSFET
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5836 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.280 (CNY5.9664) |
| 10+ | CNY3.070 (CNY3.4691) |
| 100+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 500+ | CNY1.910 (CNY2.1583) |
| 1000+ | CNY1.290 (CNY1.4577) |
| 5000+ | CNY1.270 (CNY1.4351) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY26.40 (CNY29.83 含税)
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2318DS-T1-GE3
库存编号1867178
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续3A
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
合规-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N Channel
电流, Id 连续
3A
阈值栅源电压最大值
3V
MSL
MSL 1 - Unlimited
漏源电压, Vds
40V
Rds(on)测试电压
10V
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000046