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SI2319CDS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 500+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
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| 5000+ | CNY1.720 (CNY1.9436) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2319CDS-T1-GE3
库存编号1858942RL
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续4.4A
漏源接通状态电阻0.064ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散1.25W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI2319CDS-T1-GE3 is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
- ±20V Gate-source voltage
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4.4A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.064ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000181