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SI2319DDS-T1-BE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.280 (CNY1.4464) |
| 10+ | CNY1.020 (CNY1.1526) |
| 100+ | CNY0.983 (CNY1.1108) |
| 500+ | CNY0.848 (CNY0.9582) |
| 1000+ | CNY0.702 (CNY0.7933) |
| 5000+ | CNY0.610 (CNY0.6893) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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品項附註
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.075ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET Gen III Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001