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SI2323DDS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, 表面安装
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
5.3A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.039ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI2323DDS-T1-GE3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000635