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SI2393DS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, 表面安装
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2393DS-T1-GE3
库存编号3263506
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续7.5A
漏源接通状态电阻0.0227ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
功率耗散2.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
- TrenchFET® Gen IV P沟道功率MOSFET
- 100 %Rg和UIS测试
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
7.5A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0227ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
-
SI2393DS-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004