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SI3129DV-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 80 V, 5.4 A, 0.0689 ohm, TSOP, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.740 (CNY7.6162) |
| 10+ | CNY4.750 (CNY5.3675) |
| 100+ | CNY3.230 (CNY3.6499) |
| 500+ | CNY2.500 (CNY2.825) |
| 1000+ | CNY1.950 (CNY2.2035) |
| 5000+ | CNY1.760 (CNY1.9888) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY6.74 (CNY7.62 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
5.4A
晶体管封装类型
TSOP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
4.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0689ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
6引脚
产品范围
TrenchFET
SVHC(高度关注物质)
0
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
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产品合规证书
重量（千克）：.0005