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SI4100DY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 6.8 A, 0.063 ohm, SOIC, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY6.600 (CNY7.458) |
| 100+ | CNY5.000 (CNY5.650) |
| 500+ | CNY4.630 (CNY5.2319) |
| 1000+ | CNY4.490 (CNY5.0737) |
| 5000+ | CNY4.430 (CNY5.0059) |
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产品概述
The SI4100DY-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high frequency boost converter and LED backlight for LCD TV applications.
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6.8A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.063ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI4100DY-T1-GE3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005