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SI4214DDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.016 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4214DDY-T1-GE3
库存编号2646382
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道8.5A
连续漏极电流 Id P沟道8.5A
漏源通态电阻N沟道0.016ohm
漏源导通电阻P沟道0.016ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI4214DDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for notebook system power and low current DC-to-DC converter applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
8.5A
漏源导通电阻P沟道
0.016ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
8.5A
漏源通态电阻N沟道
0.016ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000255