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SI4288DY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4288DY-T1-GE3
库存编号2056718RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds N沟道40V
电流, Id 连续9.2A
漏源电压Vds P沟道40V
在电阻RDS（上）0.0165ohm
连续漏极电流 Id N沟道9.2A
连续漏极电流 Id P沟道9.2A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0165ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0165ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.2V
针脚数8引脚
功耗 Pd3.1W
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
The SI4288DY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for CCFL inverter, DC-to-DC converter and HDD applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
9.2A
在电阻RDS（上）
0.0165ohm
连续漏极电流 Id P沟道
9.2A
漏源通态电阻N沟道
0.0165ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0165ohm
阈值栅源电压最大值
1.2V
功耗 Pd
3.1W
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
9.2A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000726