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SI4599DY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4599DY-T1-GE3
库存编号1779270RL
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续6.8A
在电阻RDS（上）0.0295ohm
连续漏极电流 Id N沟道6.8A
连续漏极电流 Id P沟道6.8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0295ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0295ohm
阈值栅源电压最大值1.4V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd3W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SI4599DY-T1-GE3 是一款40V, 双N和P沟道TrenchFET® 功率MOSFET。适用于LCD显示器背光逆变器, 全桥转换器应用。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
在电阻RDS（上）
0.0295ohm
连续漏极电流 Id P沟道
6.8A
漏源通态电阻N沟道
0.0295ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0295ohm
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
6.8A
连续漏极电流 Id N沟道
6.8A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.4V
功耗 Pd
3W
耗散功率N沟道
3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000126