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SI4816BDY-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, LITTLE FOOT, N沟道+肖特基, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0093 ohm
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4816BDY-T1-E3
库存编号2547314
技术数据表
通道类型N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道5.8A
连续漏极电流 Id P沟道5.8A
漏源通态电阻N沟道0.0093ohm
漏源导通电阻P沟道0.0093ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.25W
耗散功率P沟道1.25W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI4816BDY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with Schottky diode housed in a surface-mount package.
- LITTLE FOOT® Plus power MOSFET
- 100% Rg tested
技术规格
通道类型
N沟道+肖特基
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
5.8A
漏源导通电阻P沟道
0.0093ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
-
MSL
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
5.8A
漏源通态电阻N沟道
0.0093ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000364