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SI4840BDY-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 19 A, 0.009 ohm, SOIC, 表面安装
产品概述
- N-channel 40V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100 % Rg tested
- 100 % UIS tested
- Used in synchronous rectification, POL, IBC(secondary side)
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
19A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.009ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
SI4840BDY-T1-E3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000907