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SI4925DDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 8 A
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4925DDY-T1-GE3
库存编号1779276RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道-
电流, Id 连续8A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.024ohm
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.024ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd5W
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI4925DDY-T1-GE3 is a -30V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% UIS Tested
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
8A
在电阻RDS（上）
0.024ohm
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
0.024ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
5W
耗散功率P沟道
5W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
-
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
-
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005