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SI4936CDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm
产品概述
SI4936CDY-T1-GE3 是一款双N沟道MOSFET, 表面安装封装。适用于低电流DC-DC转换, 笔记本系统电源应用。
- 无卤素
- TrenchFET® power MOSFET
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
5.8A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000154