打印页面
SI4946BEY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4946BEY-T1-GE3
库存编号2646385RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续6.5A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.033ohm
连续漏极电流 Id N沟道6.5A
连续漏极电流 Id P沟道6.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd3.7W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.7W
耗散功率P沟道3.7W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- Dual N-channel 60-V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- 175°C maximum junction temperature
- 100 % Rg Tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
6.5A
在电阻RDS（上）
0.033ohm
连续漏极电流 Id P沟道
6.5A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.7W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
6.5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
阈值栅源电压最大值
2.4V
功耗 Pd
3.7W
耗散功率N沟道
3.7W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000142