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SI5504BDC-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI5504BDC-T1-E3
库存编号3772764RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性N和P沟道
通道类型N和P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续4A
连续漏极电流 Id N沟道4A
在电阻RDS（上）0.053ohm
连续漏极电流 Id P沟道4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.053ohm
漏源导通电阻P沟道0.053ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
晶体管封装类型ChipFET
针脚数8引脚
功耗 Pd3.12W
耗散功率N沟道3.12W
耗散功率P沟道3.12W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N和P沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.053ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
ChipFET
功耗 Pd
3.12W
耗散功率P沟道
3.12W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
-
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
4A
在电阻RDS（上）
0.053ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.053ohm
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
3.12W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001