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SI6968BEDQ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.165 ohm
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|---|---|
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| 100+ | CNY3.680 (CNY4.1584) |
| 500+ | CNY3.600 (CNY4.068) |
| 1000+ | CNY3.510 (CNY3.9663) |
| 5000+ | CNY3.420 (CNY3.8646) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI6968BEDQ-T1-GE3
库存编号3772770
产品范围Trench Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道5.2A
连续漏极电流 Id P沟道5.2A
漏源通态电阻N沟道0.165ohm
漏源导通电阻P沟道0.165ohm
晶体管封装类型TSSOP
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道1W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
5.2A
漏源导通电阻P沟道
0.165ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1W
产品范围
Trench Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
5.2A
漏源通态电阻N沟道
0.165ohm
晶体管封装类型
TSSOP
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001