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SI7216DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7216DN-T1-GE3
库存编号3772775RL
产品范围Trench Series
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续6.5A
连续漏极电流 Id N沟道6A
在电阻RDS（上）0.025ohm
连续漏极电流 Id P沟道6A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.025ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.025ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd2.5W
耗散功率N沟道20.8W
耗散功率P沟道20.8W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
连续漏极电流 Id P沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.025ohm
漏源导通电阻P沟道
0.025ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
2.5W
耗散功率P沟道
20.8W
产品范围
Trench Series
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
电流, Id 连续
6.5A
在电阻RDS（上）
0.025ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
20.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000162