打印页面
SI7223DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.022 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7223DN-T1-GE3
库存编号2857067RL
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续6A
在电阻RDS（上）0.022ohm
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.022ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.022ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型PowerPAK 1212
阈值栅源电压最大值2.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd23W
耗散功率N沟道23W
耗散功率P沟道23W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen III Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.022ohm
连续漏极电流 Id P沟道
6A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
23W
耗散功率P沟道
23W
产品范围
TrenchFET Gen III Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
6A
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.022ohm
漏源导通电阻P沟道
0.022ohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
23W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
SI7223DN-T1-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000272