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SI7234DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 12 V, 12 V, 60 A, 60 A, 0.0028 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7234DP-T1-GE3
库存编号3772778RL
产品范围Trench Series
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds12V
漏源电压Vds N沟道12V
电流, Id 连续60A
漏源电压Vds P沟道12V
在电阻RDS（上）0.0028ohm
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道60A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0028ohm
Rds(on)测试电压12V
漏源导通电阻P沟道0.0028ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
阈值栅源电压最大值1.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd3.5W
耗散功率N沟道3.5W
耗散功率P沟道3.5W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
12V
电流, Id 连续
60A
在电阻RDS（上）
0.0028ohm
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
0.0028ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0028ohm
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
3.5W
耗散功率P沟道
3.5W
产品范围
Trench Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
12V
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
12V
晶体管封装类型
PowerPAK SO
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
3.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001