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SI7272DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 0.0076 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7272DP-T1-GE3
库存编号2646391RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续25A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.0076ohm
连续漏极电流 Id N沟道25A
连续漏极电流 Id P沟道25A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0076ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0076ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
阈值栅源电压最大值2.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd22W
耗散功率N沟道22W
耗散功率P沟道22W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
25A
在电阻RDS（上）
0.0076ohm
连续漏极电流 Id P沟道
25A
漏源通态电阻N沟道
0.0076ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0076ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
22W
耗散功率P沟道
22W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
25A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAK SO
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
22W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000158