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数量 | 价钱 (含税) |
---|---|
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50+ | CNY14.080 (CNY15.9104) |
100+ | CNY13.500 (CNY15.255) |
500+ | CNY13.150 (CNY14.8595) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7469DP-T1-E3
库存编号2101450
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续28A
漏源接通状态电阻0.021ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散83W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SI7469DP-T1-E3是一款-80V P沟道TrenchFET®功率MOSFET. P沟道MOSFET用于开关应用, 可提供1mΩ左右的电阻, 并可处理85A.
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
28A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.021ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
-
SI7469DP-T1-E3 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000125