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SI7913DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 7.4 A, 7.4 A, 0.066 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7913DN-T1-GE3
库存编号3772786RL
产品范围Trench Series
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续7.4A
在电阻RDS（上）0.066ohm
连续漏极电流 Id N沟道7.4A
连续漏极电流 Id P沟道7.4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.066ohm
Rds(on)测试电压1.8V
漏源导通电阻P沟道0.066ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
阈值栅源电压最大值1V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.3W
耗散功率N沟道1.3W
耗散功率P沟道1.3W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.066ohm
连续漏极电流 Id P沟道
7.4A
漏源通态电阻N沟道
0.066ohm
漏源导通电阻P沟道
0.066ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
1.3W
耗散功率P沟道
1.3W
产品范围
Trench Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
7.4A
连续漏极电流 Id N沟道
7.4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
1.8V
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000198