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SI7938DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7938DP-T1-GE3
库存编号1853789RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds P沟道-
电流, Id 连续60A
在电阻RDS（上）0.0048ohm
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.0048ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型PowerPAK SO
阈值栅源电压最大值2.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd3.5W
耗散功率N沟道3.5W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
SI7938DP-T1-GE3是一款40V双N沟道TrenchFET®功率MOSFET. N沟道MOSFET用于开关应用, 可提供1mΩ左右的电阻, 并可处理85A.
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
-
在电阻RDS（上）
0.0048ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管安装
表面安装
晶体管封装类型
PowerPAK SO
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
3.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
60A
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
0.0048ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
3.5W
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
汽车质量标准
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000411