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SI7998DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0076 ohm
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|---|---|
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| 10+ | CNY9.580 (CNY10.8254) |
| 100+ | CNY6.680 (CNY7.5484) |
| 500+ | CNY5.320 (CNY6.0116) |
| 1000+ | CNY4.570 (CNY5.1641) |
| 5000+ | CNY4.140 (CNY4.6782) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7998DP-T1-GE3
库存编号3772791
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道0.0076ohm
漏源导通电阻P沟道0.0076ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道40W
耗散功率P沟道40W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
0.0076ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
40W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.0076ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
40W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001