打印页面
SI8818EDB-T2-E1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 2.2 A, 0.128 ohm, MICRO FOOT, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
包装选项
可订购
在此登记您的兴趣
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.320 (CNY4.8816) |
| 10+ | CNY2.660 (CNY3.0058) |
| 100+ | CNY1.740 (CNY1.9662) |
| 500+ | CNY1.300 (CNY1.469) |
| 1000+ | CNY0.947 (CNY1.0701) |
| 5000+ | CNY0.794 (CNY0.8972) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY21.60 (CNY24.41 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI8818EDB-T2-E1
库存编号4349351
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续2.2A
漏源接通状态电阻0.128ohm
晶体管封装类型MICRO FOOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散900mW
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.2A
晶体管封装类型
MICRO FOOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.128ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
4引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000013