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SI9926CDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI9926CDY-T1-GE3
库存编号2454811RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续8A
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道8A
在电阻RDS（上）0.015ohm
连续漏极电流 Id P沟道8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.015ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.015ohm
晶体管封装类型NSOIC
阈值栅源电压最大值1.5V
功耗 Pd3.1W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
8A
连续漏极电流 Id N沟道
8A
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.015ohm
漏源导通电阻P沟道
0.015ohm
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.015ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
NSOIC
功耗 Pd
3.1W
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000141