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SIA106DJ-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 12 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA106DJ-T1-GE3
库存编号2932891
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.0142ohm
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散19W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)0
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
19W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
0
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0142ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
6引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002