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SIA430DJT-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 12 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY4.850 (CNY5.4805) |
| 10+ | CNY3.320 (CNY3.7516) |
| 100+ | CNY2.280 (CNY2.5764) |
| 500+ | CNY1.990 (CNY2.2487) |
| 1000+ | CNY1.710 (CNY1.9323) |
| 5000+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA430DJT-T1-GE3
库存编号3929256
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.0135ohm
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散19.2W
针脚数7引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
19.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.0135ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
7引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001