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SIA456DJ-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, 沟槽式FET, N通道, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY3.560 (CNY4.0228) |
| 100+ | CNY2.930 (CNY3.3109) |
| 500+ | CNY2.920 (CNY3.2996) |
| 1000+ | CNY2.880 (CNY3.2544) |
| 5000+ | CNY2.830 (CNY3.1979) |
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产品概述
The SIA456DJ-T1-GE3 is a 200VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for boost converter applications.
- New thermally enhanced PowerPAK® package
- Small footprint area
- Low ON-resistance
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.6A
晶体管封装类型
SC-70
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
19W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
1.38ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000049