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SIA517DJ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA517DJ-T1-GE3
库存编号2889717RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续4.5A
漏源电压Vds P沟道12V
在电阻RDS（上）0.024ohm
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.024ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.024ohm
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
功耗 Pd6.5W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道6.5W
耗散功率P沟道6.5W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
12V
电流, Id 连续
4.5A
在电阻RDS（上）
0.024ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.024ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
6.5W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
12V
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.024ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
6.5W
耗散功率N沟道
6.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.025