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SIHB105N60EF-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY17.940 (CNY20.2722) |
| 25+ | CNY17.610 (CNY19.8993) |
| 100+ | CNY15.530 (CNY17.5489) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY19.91 (CNY22.50 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
29A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
208W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.102ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
EF IV Gen
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SIHB105N60EF-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.02268