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SIHD5N50D-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
已停产
SIHD5N50D-GE3 的替代之选
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产品概述
SIHD5N50D-GE3是一款D系列N通道增强型功率MOSFET, 适用于消费类电子, 电信电源和电池充电器应用。
- 低面积导通电阻
- 低输入电容 (CISS)
- 降低电容性开关损耗
- 坚固型主体二极管
- 额定雪崩 (UIS)
- 简单栅极驱动电路
- 低品质因数 (FOM) RON x Qg
- 快速开关
- 无卤素
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.3A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (19-Jan-2021)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
1.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
D
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002