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SIHP125N65E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 27 A, 0.12 ohm, TO-220AB, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10+ | CNY40.620 (CNY45.9006) |
| 100+ | CNY33.870 (CNY38.2731) |
| 500+ | CNY31.650 (CNY35.7645) |
| 1000+ | CNY28.880 (CNY32.6344) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
27A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
208W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
E Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
SIHP125N65E-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001