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SIHP8N50D-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 500+ | CNY4.830 (CNY5.4579) |
| 1000+ | CNY3.850 (CNY4.3505) |
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产品概述
The SIHP8N50D-GE3 is a 500V N-channel high voltage MOSFET with low area specific on-resistance and low input capacitance. This D series MOSFET is used in displays, server and telecom power supply applications.
- Reduced capacitive switching losses
- High body diode ruggedness
- Optimal efficiency and operation due to simple gate drive circuitry
- Low figure of merit Ron X Qg
- 100% Avalanche rated
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8.7A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
156W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2019)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.85ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
D
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005443