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SIHS36N50D-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 36 A, 0.13 ohm, Super-247, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY32.400 (CNY36.612) |
| 100+ | CNY30.940 (CNY34.9622) |
| 500+ | CNY29.470 (CNY33.3011) |
| 1000+ | CNY28.470 (CNY32.1711) |
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多件: 1
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
36A
晶体管封装类型
Super-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
446W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.13ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
D
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Switzerland
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Switzerland
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
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产品合规证书
重量（千克）：.001