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SIJ4106DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 59 A, 0.0083 ohm, PowerPAK SO-8L, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.230 (CNY20.5999) |
| 10+ | CNY11.720 (CNY13.2436) |
| 100+ | CNY8.010 (CNY9.0513) |
| 500+ | CNY6.430 (CNY7.2659) |
| 1000+ | CNY6.350 (CNY7.1755) |
| 5000+ | CNY6.230 (CNY7.0399) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
59A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-8L
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0083ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.8V
针脚数
4引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074