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SIJ4108DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.300 (CNY17.289) |
| 10+ | CNY10.620 (CNY12.0006) |
| 100+ | CNY8.310 (CNY9.3903) |
| 500+ | CNY7.820 (CNY8.8366) |
| 1000+ | CNY7.340 (CNY8.2942) |
| 5000+ | CNY6.850 (CNY7.7405) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIJ4108DP-T1-GE3
库存编号4154260
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续56.7A
漏源接通状态电阻9000µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO-8L
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散69.4W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
56.7A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-8L
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
9000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
4引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001