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SIJ450DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 45 V, 113 A, 0.0019 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIJ450DP-T1-GE3
库存编号3765818
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds45V
电流, Id 连续113A
漏源接通状态电阻0.0019ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.3V
功率耗散48W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
- N沟道45V（D-S）MOSFET
- TrenchFET®Gen IV功率MOSFET
- 非常低的Qg和Qoss降低了功率损失并提高了效率
- 灵活的引线提供了对机械应力的弹性
- 100 %Rg和UIS测试
- Qgd/Qgs比率<lt/> 1优化了开关特性
- 用于同步整流、高功率密度的DC/DC和DC/AC逆变器中
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
113A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
48W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
45V
漏源接通状态电阻
0.0019ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.3V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001