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SIR122DP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 59.6 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 100+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
| 500+ | CNY4.040 (CNY4.5652) |
| 1000+ | CNY3.850 (CNY4.3505) |
| 5000+ | CNY3.670 (CNY4.1471) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR122DP-T1-RE3
库存编号3019109
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续59.6A
漏源接通状态电阻0.0061ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.8V
功率耗散65.7W
针脚数8引脚
工作温度最高值50°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
59.6A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
65.7W
工作温度最高值
50°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0061ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.8V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001